这是Intel 在2006年的IDF上展示的DDR3内存模组
继DDR和DDR2内存之后，下一代计算机内存的命名我们可以猜测到是DDR3。在图上的展板上，我们可以看到尔必达、海力士、美光、奇梦达、三星均展示了他们的DDR3模组。
DDR3内存的主要特征
1.DDR3内存是当今享有最高速度之称的DDR2内存产品速度的两倍。2.DDR3内存有望在今年我们的计算机系统中使用。
3.DDR3的主要优势是可以在更高的带宽和更低的功耗下提升性能。
4.DDR3 SDRAM设备将使数据传输速率达到1600Mbps。
5.DDR3的内存电压由DDR2时代的1.8伏特降低到DDR3的1.5伏特，同时如果DDR3颗粒应用到手机等设备上还可以延长电池的工作时间。理论上来说减少的电压降低了系统平台的整体功耗。
组成容量：从开始的512Mbit达到了现在8Gbit，最重要的容量由最初是512Mbit发展到1Gbit，之后到2Gbit和4Gbit。
模块容量：从256MByte最高达到8GByte适用于标准JEDEC模块。超过8GByte更高的模块适用于特殊应用例如服务器产品。
[Page]
更高的操作频率
依照JEDEC的标准，DDR3将在800MHz至1666MHz下运行，这将是DDR2频率的两倍，主要是通过削减一半读写时间给系统带来操作性能提高。
更低的电压和power
新一代的DDR3在1.5V下工作，而DDR2是在1.8V下工作，相比来讲DDR3可以节约有16%的电能。这样可以弥补由于过多的操作频率所产生的高电能消耗。同时，减少的能量消耗可以延长部件的使用寿命。
DDR3在电能的节约方面看起来像是一个局部更新机制。这样宝贵的系统电池及电能资源将减少所需要消耗。在更新部分，动态随机存取存储器非积极用途上。它包括了一个热传感器，当系统没有处于高性能要求时，以便系统支持最小的更新周期从而达到更长时间的电能节省。
更多的内部banks
为了更高的系统速度，与DDR2的内部4banks比DDR3采用内部8banks。随着动态随机存取存储器尺寸的增长，这将允许更先进的pre-fetch（预读）而减少access latency（访问反应时间）。
注册模式的区别
由于集成了众多特点，DDR3的初始化采用了一种新的方式。MRS（注册模式）是re-engineered（双引擎）从而加快并且更有效化内存系统的配置。
Fly-by模块布局
对于更高频率的操作，DDR3在内存模块（DIMM）信号整合上更加严格。在极端频率下，信号路径不能再保持平稳，但又不得不调整以匹配每一个动态随机存取存储器。这意味着地址和控制线路将成为一条独立的取代DDR2中分支的T布局路径的连接两个动态随机存取存储器的路径。这种方法去除了机械的线路平衡转向了由固定在内存系统训练的控制者产生的自动的信号时间延迟。每一个DDR3 DRAM都有一个自动的水平电路作标准来记忆标准数值。
DDR3内存的产品规格
|
DIMM Module |
Chip Type |
Clock Speed |
Data Rate |
Transfer Rate |
|
PC3-6400 |
DDR3-800 |
400 |
800 |
6,400 |
|
PC3-8500 |
DDR3-1066 |
533 |
1066 |
8,530 |
|
PC3-10667 |
DDR3-1333 |
667 |
1333 |
10,660 |
|
PC3-12800 |
DDR3-1600 |
800 |
1600 |
12,800 |
|
PC3-14900 |
DDR3-1866 |
933 |
1866 |
14,930 |
DDR3内存与DDR2内存相比的技术优势：
1更高的带宽（高至1600Mbps）
2在低power下的性能增强
3更长久的电池寿命
4增强的power特性和热力设计
产品规格对比
