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但是,就现今而言,很多业内人士对于摩尔定律是否能够继续指引半导体产业的发展产生了怀疑。中国工程院院士倪光南曾对媒体说过这样一句话,“任何一个定律,发展到一定时期,都会遇到‘失效’的问题,就摩尔定律而言,将遇到半导体集成方面的问题,按照摩尔定律规定的速度翻番下去,很快晶体管的尺寸就将达到极限,量子效应也会显现出来,形成短路”。那么这次 45纳米新制程技术的采用能否将摩尔定律寿命延长呢?
45纳米!4核处理器普及的关键
在双核处理器普及正处于如日中天之时,4核处理器便成为服务器和发烧
先进制程的引入可以同时缓解生产成本和功耗问题。首先,工艺制程的进步可以减少线宽和减小晶体管门长度,这样可以让处理器核心的面积随之减小,提高产品的合格率降低成本。其次,目前处理器主要是由CMOS 门电路所构成,而CMOS门电路的功耗可以由计算公式P=CV2f所得出。公式显示了功耗P、CMOS门电容C、晶体管频率f及供电电压V之间的关系。制程的进步会
所以,45纳米新制程工艺所带来的最直接的好处就是—将给提升每瓦性能打下
45纳米先行者—剖析英特尔45纳米制程
从官方资料我们可以归纳出45纳米所带来的优势:1.晶体管密度提升2倍;2.晶体管切换速度提升20%或者功耗下降至原来的1/5;3.晶体管切换功率降低30%。
英特尔所引入的High-k栅介质+金属栅极晶体管两项新材料对于45纳米优势体现有着至关重要意义。下面我们就从这两项新材料出发对英特尔45纳米做一个
图2 High-k栅介质+金属栅极晶体管带来重大的性能提升和降低漏电,从而保证了摩尔定律持续有效
1.High-K栅介质
介电常数(k,希腊文字Kappa简写)是用来衡量材料能储存电荷能力的一种系数,不同种类的材料其K值一般来说是不同的,如当前所使用的绝缘层二氧化硅其k值为3.9,而超过这个数值的材料我们就习惯称之为High-k材料。那么为什么要用High-K材料取代二氧化硅呢?这还得从电子泄漏说起。
英特尔从90纳米工艺到目前为止,在晶体管栅极上大规模使用的是应变硅
与应变硅技术加速晶体管内电流速度相反,在不同晶体管之间需要的是绝缘,以避免泄漏的问题。在90纳米工艺之前,泄漏问题并不严重,因为晶体管之间有较长的距离。但转换到90纳米工艺之后,不同晶体管的间距变得非常之短,电流泄漏现象变得异常严重。而为了抵消泄漏的电流,芯片不得不要求更大的供电量,造成的直接后果就是芯片功耗增加。我们可以看到,无论英特尔还是AMD,90纳米制程所生产的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势,而按照惯例,每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。
图3 应变硅使用前和使用后电流流畅度对比
因为二氧化硅有着非常简易的制造
图4 电子显微镜下的普通晶体管和High-k栅介质+金属栅极晶体管
另一方面,IBM和AMD在65纳米产品生产上采用了SOI技术,虽然SOI有效隔断了各电极向衬底流动的漏电流,使其只能通过晶体管流动,但SOI技术对于同一层面的晶体管之间的阻隔
2.金属栅极晶体管
虽然英特尔所采用的High-K新材料拥有不错的电子阻隔
材料来使用,由于目前金属材料的细节属于商业机密,使得我们并不能像知晓High-K所使用元素那样知晓金属栅极晶体管究竟使用什么元素制成,但有一点可以确定—英特尔采用不同金属材料组合而成。
当然,这种神秘的新材料肯定具有非常高的导电率。以解决现有材料因电阻较大,而造成较长延迟周期的问题。(注:如果材料电阻较大,根据RC延迟电路延迟周期T=2πRC可以知道迟延周期较大。如果采用导电率较高的金属类材料栅电极,就能彻底解决栅极耗尽的问题。)
借力于蓝色巨人—AMD的45纳米步伐
相对于英特尔在制程
在2006年底AMD在其平台分析会议上首次披露了关于45
在栅介质方面AMD和 IBM并没有像英特尔那样直接跳跃到High-K技术,而是采用了被称作Ultra Low-K的栅介质。这种栅介质相对于传统的Low-K材料将会有着更低的电子隔绝效果,并且在制造工艺方面较Low-K并没有太多的不同,由此能够大幅降低制程转换过程中的风险。尽管AMD和IBM并没有更多透露所谓的Ultra Low-K采用的是何种材料,但业界普遍认为Ultra Low-K在电气性能方面依然会逊色于High-K。与此同时,AMD和IBM还同样关注High-K介质,但并没有确认High-K究竟会用在45纳米制程上还是未来32纳米制程上。
作为SOI技术的极力推动者,AMD和IBM还很有可能在45纳米制程上采用改进后的 SOI技术。所谓SOI(Silicon-on-insulator)技术是指在在绝缘层上(如二氧化硅)再附着非常薄的一层硅,在这层SOI层之上再制造电子
图5 IBM试产的45纳米SRAM
在制程转换进度方面AMD表示,他们成功生产出45纳米 SRAM测试晶圆,这种晶圆通常都被处理器厂商用来验证新工艺的可靠性。AMD 45纳米 SRAM测试晶圆是在英特尔拿出同类产品之后的三个月才完成。45纳米 SRAM测试晶圆生产性能取决于每个SRAM cell的大小,cell越小,工艺越好。
英特尔 45纳米 SRAM测试晶圆每个SRAM cell大小是0.346平方微米,AMD的则是0.370平方微米。由此我们不难看出如果在未来处理器中
Penryn vs. Shanghai,谁主沉浮?
尽管AMD和英特尔都宣布开始全面转向45纳米制程技术,但纵然有IBM的帮助AMD的45纳米步伐依然要落后英特尔很多。纵观当今的处理器市场,英特尔已经完成了旗下全系列处理器65纳米制程的过渡,而AMD在65纳米过渡上却显得相当缓慢,采用65纳米制程的Athlon64处理器无论在成本还是性能表现方面都没有带给人们太多的惊喜。
在65纳米制程上的落后还将会让45纳米制程转换的时间表一拖再拖。英特尔在近期的 Roadmap上已经明确表示年底将会推出采用45纳米制程的代号Penryn的处理器。相对于现在的Conroe处理器,45纳米制程的Penryn将会基于同样的Core2 架构,并且引入SSE4以及加大L2 Cache等设计。在4内核处理器上凭借Core2架构强大的性能和对内存延迟并不敏感的特性,代号Yorkfiled的45纳米制程4内核处理器依然会采用2片Penryn拼合的
图6 Penryn内核架构图
和英特尔高调宣布45纳米制程技术不同,AMD如今还在艰难的向65纳米制程过渡,所以AMD只是很模糊的表示45纳米制程将会在 2008年下半年问世。首个采用45纳米制程处理器的将会是代号Shanghai的AMD Opteron 4内核处理器。这款处理器将依然沿用HT 1.0总线连接,并且采用原生4内核设计,拥有6MB L3 Cache。在工作频率方面受限于K8L本身的架构,也许代号Shanghai的CPU依然难以突破3GHz。3级缓存设计、超大容量的缓存和原生4内核设计,真的能让AMD再度与英特尔抗衡吗?
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结语
谁说摩尔定律已死?在过去的十多年间半导体的发展速度正惊人的完全吻合摩尔的预言,在未来的5年中我们甚至可以预见摩尔定律依然会持续生效。但随着半导体制程逼近原子尺度,摩尔定律也将会遭遇到最为严重的挑战。在未来我们将会用上原子